產(chǎn)品特點(diǎn)
隔離電壓:500V
TTL/ LSTTL/CMOS等電路相容
靜電等級(jí):1000V

產(chǎn)品特點(diǎn)
雙向輸出
導(dǎo)通電壓:Vs≤5mv
各通道互相隔離
四通道結(jié)構(gòu)

產(chǎn)品特點(diǎn)
隔離電壓:1000V
TTL/ LSTTL/CMOS等電路相容
靜電等級(jí):1000V

產(chǎn)品特點(diǎn)
速度:tr≤50ns;tf≤20ns
隔離電壓:1000V
集電極開(kāi)路輸出
TTL/LSTTL/CMOS電平兼容

產(chǎn)品特點(diǎn)
隔離電壓:1000V
TTL/ LSTTL/CMOS等電路相容
靜電等級(jí):1000V
FT-49-H249S抗輻射總劑量達(dá)100krad(Si)

產(chǎn)品特點(diǎn)
電源電壓:2.7V~5.5V
隔離電壓:1000V
集電極開(kāi)路
最高速度:10Mbit/s
靜電等級(jí):1000V

產(chǎn)品特點(diǎn)
集電極開(kāi)路輸出
集-發(fā)擊穿電壓V(BR)CEO:80V
靜電等級(jí):1000V

產(chǎn)品特點(diǎn)
電源電壓:2V~18V
隔離電壓:1000V
集電極開(kāi)路
最高速度:1Mbit/s
靜電等級(jí):1000V

產(chǎn)品特點(diǎn)
集電極開(kāi)路輸出
集-發(fā)擊穿電壓V(BR)CEO:100
靜電等級(jí):1000V

產(chǎn)品特點(diǎn)
隔離電壓:1000V
靜電等級(jí):1000V

產(chǎn)品特點(diǎn)
集電極開(kāi)路輸出
集-發(fā)擊穿電壓V(BR)CEO:100V
靜電等級(jí):1000V

產(chǎn)品特點(diǎn)
最高工作電壓:30V
隔離電壓:1500V
集電極開(kāi)路輸出
最高速度1Mbit/s

產(chǎn)品特點(diǎn)
高電流傳輸比:1800%(典型值)
隔離電壓:1000V
集電極開(kāi)路反相輸出
低電流驅(qū)動(dòng):0.5mA
TTL/ LSTTL/CMOS等電路兼容

1.Features
High current transfer ratio – 2000%typical.
Low input current requirements – 0.5mA

產(chǎn)品特點(diǎn)
電源電壓:2V~50V
隔離電壓:1000V
集電極開(kāi)路
靜電等級(jí):1000V

Features
(1)   Current transfer ratio(CTR) : MIN. 50% at IF  = 5mA, VCE = 5V, Ta=25 ℃
(2)   High input-output isolation voltage.(VISO=3,750Vrms)
(3)   Collector and emitter Voltage : 80V(MIN)
(4)   Operating Temperature :-55 ℃ to 125 ℃

產(chǎn)品特點(diǎn)
隔離電壓:2000V
輸出耐壓:400V
TTL/LSTTLCMOS等電路相容
晶閘管輸出型

1.Features
(1)3.3v / 5V supply voltage
(2)low power consumption

產(chǎn)品特點(diǎn)
隔離電壓:500V
無(wú)磁銅底座,微磁封裝
編碼盤(pán)表面紅外吸收處理,提高了反光比

1.Features
(1)High common mode transient immunity (CMH, CML= 15 kV/s MIN.)
(2)Half size of 8-pin DIP